什么是RFID標(biāo)簽最高功率傳輸?shù)淖杩构曹椘ヅ洌?/h1>
對(duì)于采用被動(dòng)式標(biāo)簽的RFID系統(tǒng)而言,根據(jù)工作頻段的不同具有兩種工作模式。一種是感應(yīng)耦合工作模式,這種模式也被稱為近場(chǎng)工作模式,主要適用于低頻與高頻 RFID系統(tǒng);另一種是反向散射工作模式,這種模式也被稱為遠(yuǎn)場(chǎng)工作模式, 主要適用于超高頻和微波RFID系統(tǒng)。
在由被動(dòng)式標(biāo)簽天線組成的 RFID 系統(tǒng)中,標(biāo)簽需要從讀寫器產(chǎn)生的電磁場(chǎng)或電磁波中獲取能量激活標(biāo)簽術(shù)片。所以,在電子標(biāo)簽中有部分電路專門用干檢測(cè)標(biāo)簽天線上產(chǎn)生的感生電動(dòng)勢(shì)或感應(yīng)電壓,并通過二極管電路進(jìn)行整流,經(jīng)過其他電路進(jìn)行電壓放大等。這些電路被集成在標(biāo)簽芯片內(nèi)部。當(dāng)芯片進(jìn)行封裝時(shí),通常會(huì)引入一部分分布式電容。但是,天線設(shè)計(jì)本身并不需要知道芯片中的具體電路,而只需要掌握芯片和經(jīng)過封裝之后的芯片阻抗,并利用最大能量傳遞的法則設(shè)計(jì)天線的輸入阻抗。
電子標(biāo)簽芯片的輸出阻抗具有電抗分量,為了實(shí)現(xiàn)能量的最大傳遞,需要將天線的輸入阻抗設(shè)計(jì)為標(biāo)簽芯片阻抗的共軛。一般而言,電子標(biāo)簽芯片的輸入阻抗Z=R-iX。為了獲得共軛形式的阻抗,電子標(biāo)簽天線的阻抗形式應(yīng)為Z=R+ jX。工作在低頻和高頻的 RFID系統(tǒng)中的被動(dòng)標(biāo)簽天線采用了線圈形式,這種線圈形式即可引入感抗,從而抵消等效電路中的容抗,實(shí)現(xiàn)標(biāo)簽芯片和天線之間的最大能量傳遞。而對(duì)于工作在超高頻和微波頻段的標(biāo)簽天線而言。為了引入感抗以抵消芯片的容抗,需要在天線設(shè)計(jì)中加入環(huán)形結(jié)構(gòu)進(jìn)行感性饋電,或者加入 T 型匹配等結(jié)構(gòu)。另外,為了在規(guī)定的等效全向輻射功率下獲得更遠(yuǎn)的閱讀距離,除了要求電子標(biāo)簽天線具有高增益,還要求電子標(biāo)簽天線和標(biāo)簽芯片之間能夠有足夠好的匹配。