目前，發(fā)達(dá)國(guó)家在多種頻段都實(shí)現(xiàn)了電子標(biāo)簽芯片的批量生產(chǎn)，無(wú)源微波電子標(biāo)簽的工作距離可以超過1 m，無(wú)源超高頻電子標(biāo)簽的工作距離可以達(dá)到5 m以上，模擬前端多采用了低功耗技術(shù)，功耗可以做到幾毫瓦，批量成本接近10美分。我國(guó)在低頻和高頻電子標(biāo)簽芯片設(shè)計(jì)方面的技術(shù)比較成熟，已經(jīng)自主開發(fā)出符合ISO/IEC 14443 A類、B類和ISO/IEC 15693標(biāo)準(zhǔn)的RFID芯片，并成功地應(yīng)用于交通一卡通和中國(guó)第二代身份證等項(xiàng)目。

　　與國(guó)際先進(jìn)水平相比，我國(guó)在RFID芯片設(shè)計(jì)方面仍存在的主要差距如下。

　　(1)國(guó)外在RFID芯片設(shè)計(jì)方面起步較早，并申請(qǐng)了許多技術(shù)專利;而國(guó)內(nèi)起步較晚，在超高頻和微波頻段的RFID芯片設(shè)計(jì)方面的基礎(chǔ)還比較薄弱。

　　(2)在存儲(chǔ)器方面，發(fā)達(dá)國(guó)家已經(jīng)開始使用標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝設(shè)計(jì)非揮發(fā)存儲(chǔ)器，使得電子標(biāo)簽的所有模塊有可能在標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝下制作完成，以降低生產(chǎn)成本;而國(guó)內(nèi)在這方面還處于研究階段。

　　(3)電子標(biāo)簽對(duì)成本比較敏感，芯片設(shè)計(jì)需要在模擬電路和數(shù)?；旌想娐吩O(shè)計(jì)方面具有豐富經(jīng)驗(yàn)的專業(yè)人才，而國(guó)內(nèi)這方面技術(shù)力量相對(duì)薄弱。