在識別過程中，內(nèi)容既可以讀出又可以寫入的電子標(biāo)簽，是可寫入式電子標(biāo)簽。可寫入式電子標(biāo)簽可以采用SRAM或FRAM存儲器。
 

　　1.靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存。SRAM不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)，因此SRAM具有較高的性能。
 

　　2.鐵電存儲器(FRAM)是一個非易失性隨機存取儲存器，能提供與 RAM 一致的性能，但又有與ROM一樣的非易失性。FRAM非易失性是指記憶體掉電后數(shù)據(jù)不丟失，非易失性記憶體是源自ROM的技術(shù)。FRAM將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起，這就使得FRAM產(chǎn)品既可以進行非易失性數(shù)據(jù)存儲，又可以像RAM一樣操作。
 

　　在可寫入式電子標(biāo)簽工作時，讀寫器可以將數(shù)據(jù)寫入電子標(biāo)簽。對電子標(biāo)簽的寫入與讀出大多是按字組進行的，字組通常是規(guī)定數(shù)目的字節(jié)的匯總，字組一般作為整體讀出或?qū)懭搿榱诵薷囊粋€數(shù)據(jù)塊的內(nèi)容，必須從讀寫器整體讀出這個數(shù)據(jù)塊，對其修改，然后再重新整體將數(shù)據(jù)塊讀入。
 

　　可寫入式電子標(biāo)簽的存儲量，最少可以是1 B，最高可達64 KB。比較典型的電子標(biāo)簽是16 bit、幾十到幾百字節(jié)。
 

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