在RFID系統(tǒng)中，電子標(biāo)簽向讀寫(xiě)器的信息傳輸采用負(fù)載調(diào)制技術(shù)。負(fù)載調(diào)制通過(guò)對(duì)電子標(biāo)簽振蕩回路的電參數(shù)按照數(shù)據(jù)流的節(jié)拍進(jìn)行調(diào)節(jié)，使電子標(biāo)簽阻抗的大小和相位隨之改變，從而完成調(diào)制的過(guò)程。負(fù)載調(diào)制技術(shù)主要有電阻負(fù)載調(diào)制和電容負(fù)載調(diào)制兩種方式。
 

　　1.電阻負(fù)載調(diào)制
 

　　在電阻負(fù)載調(diào)制中，負(fù)載RL并聯(lián)一個(gè)電阻Rmod，Rmod稱(chēng)為負(fù)載調(diào)制電阻，該電阻按數(shù)據(jù)流的時(shí)鐘接通和斷開(kāi)，開(kāi)關(guān)S的通斷由二進(jìn)制數(shù)據(jù)編碼控制。
 

　　電阻負(fù)載調(diào)制的特性如下：
 

　　(1)當(dāng)二進(jìn)制數(shù)據(jù)編碼為“1”時(shí)，開(kāi)關(guān)S接通，電子標(biāo)簽的負(fù)載電阻為Rmod和RL的并聯(lián);當(dāng)二進(jìn)制數(shù)據(jù)編碼為“0”時(shí)，開(kāi)關(guān)S斷開(kāi)，電子標(biāo)簽的負(fù)載電阻為RL。這說(shuō)明，開(kāi)關(guān)S接通時(shí)，電子標(biāo)簽的負(fù)載電阻比較小。
 

　　(2)對(duì)于并聯(lián)諧振，如果并聯(lián)電阻比較小，將降低品質(zhì)因數(shù)。也就是說(shuō)，當(dāng)電子標(biāo)簽的負(fù)載電阻比較小時(shí)，品質(zhì)因數(shù)Q值將降低，這將使諧振回路兩端的電壓下降。
 

　　(3)上述分析說(shuō)明，開(kāi)關(guān)S接通或斷開(kāi)，會(huì)使電子標(biāo)簽諧振回路兩端的電壓發(fā)生變化。為了恢復(fù)(解調(diào))電子標(biāo)簽發(fā)送的數(shù)據(jù)，上述變化應(yīng)該輸送到讀寫(xiě)器。
 

　　(4)當(dāng)電子標(biāo)簽諧振回路兩端的電壓發(fā)生變化時(shí)，由于線圈電感耦合，這種變化會(huì)傳遞給讀寫(xiě)器，表現(xiàn)為讀寫(xiě)器線圈兩端電壓的振幅發(fā)生變化，因此產(chǎn)生對(duì)讀寫(xiě)器電壓的調(diào)幅。
 

　　2.電容負(fù)載調(diào)制
 

　　在電容負(fù)載調(diào)制中，負(fù)載RL并聯(lián)一個(gè)電容Cmod，Cmod取代了由二進(jìn)制數(shù)據(jù)編碼控制的負(fù)載調(diào)制電阻Rmod。
 

　　電容負(fù)載調(diào)制的特性如下：
 

　　(1)在電阻負(fù)載調(diào)制中，讀寫(xiě)器和電子標(biāo)簽在工作頻率下都處于諧振狀態(tài);而在電容負(fù)載調(diào)制中，由于接入了電容Cmod，電子標(biāo)簽回路失諧，又由于讀寫(xiě)器與電子標(biāo)簽的耦合作用，導(dǎo)致讀寫(xiě)器也失諧。
 

　　(2)開(kāi)關(guān)S的通斷控制電容Cmod按數(shù)據(jù)流的時(shí)鐘接通和斷開(kāi)，使電子標(biāo)簽的諧振頻率在兩個(gè)頻率之間轉(zhuǎn)換。
 

　　(3)通過(guò)定性分析可以知道，電容Cmod的接入使電子標(biāo)簽電感線圈上的電壓下降。
 

　　(4)由于電子標(biāo)簽電感線圈上的電壓下降，使讀寫(xiě)器電感線圈上的電壓上升。
 

　　(5)電容負(fù)載調(diào)制的波形變化，與電阻負(fù)載調(diào)制的波形變化相似，但此時(shí)讀寫(xiě)器電感線圈上電壓不僅發(fā)生振幅的變化，也發(fā)生相位的變化，應(yīng)盡量縮小相位變化。
 

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